کاربرد شبیه سازی مونت کارلو و فرایند قدم زدن تصادفی

مروری بر روش شبیه سازی مونت کارلو

شبیه سازی رشد ساختارهای ستونی مس تحت رونشست زاویه مایل و گام‌های تصادفی مونت کارلو

In this simulation model, oblique angle deposition method and Monte Carlo random walks have been used. Growth model was ballistic deposition (BD). Incident particles flux comes to substrate at an angle with respect to normal. Two physical factors including self-shadowing and mobility limitation of incident particles make structures similar to independent columns with different shapes and separa...

شبیه سازی رشد ساختارهای ستونی مس تحت رونشست زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو

در این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل به کار رفته رشد، رونشست بالستیک (bd) می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای نسبت به عمود بر سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی خود سایه اندازی و محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث می شود که ساختارهای حاصل از این روش به صورت ستون های مجزا با اشکال مختلف، که با فضاهای خالی از هم جدا شد...

ارزیابی کمی و دقیق ریزساختار کوپلیمرهای خطی دوتایی با روش شبیه سازی مونت کارلو

شبیه سازی سطح (100) شبکه fcc پلاتین و طلا به روش مونت-کارلو

  In this work, the (100) surface of Au and Pts face centered cubic lattice, has been simulated in Monte-Carlo method, using a 486-DX2 computer. The potential equation that was used for the interaction among atoms in the metal surfaces is called Sutton and Chen potential. This potential is introduced for the interaction of floating nuclei in the electron sea, and attractive term is a many body ...